CESCOR - Cs-Korrektor für STEM
CESCOR – Cs-Korrektor für STEM
Der CESCOR wurde für die Kompensation der sphärischen Aberration (Cs) im Scanning-Transmissionselektronenmikroskop (STEM) entwickelt. Es ist ein Hexapol Korrektor mit zwei Multipolebenen und kompensiert alle Bildfehler bis zur 3. Ordnung. Die erste verbleibende intrinsische Aberration (+) ist der sechzählige Astigmatismus 5.Ordnung (A5). Die sphärische Aberration 5. Ordnung (C5) kann sowohl mit positiven wie negativen Werten angepasst werden. Der CESCOR ist variabel einsetzbar für den Hochspannungsbereich zwischen 80 und 300 kV. Der Cs-Korrektor erlaubt einen hohen Elektronenfluss in der Elektronensonde. Dies erlaubt einen 10x höheren Probenstrom bei gleichzeitig 2x feinerer Sondengröße auf der Probe, verglichen mit einem nicht-Cs-korrigierten Mikroskop. Durch die Korrektur der sphärischen Aberration (Cs) kann der Sondendurchmesser d59 (++) auf 0.08 nm bei 200kV reduziert werden. Der CESCOR ist besonders gut geeignet für Hochauflösungs-STEM bei materialwissenschaftlichen Anwendungen in den Nano-Wissenschaften. Weitere Informationen zum CESCOR Korrektor finden sie in unserer Veröffentlichung:
(+) Intrinsische Aberrationen = Aberrationen, die durch das optische Design des Korrektors entstehen und unvermeidbar sind.
(++) Das Kriterium zur Bestimmung der Sondengröße wird bezogen auf die Verteilung des Probenstroms inerhalb einer runden Fläche und mit dp bezeichnet (0<p<100). Hier ist p ein prozentualer Anteil des gesammten Probenstroms, der sich in einer Scheibe des Durchmessers dp befindet. d59 = 0.61(λ/ν) entspricht dem Rayleigh Kriterium für eine Airy Funktion (Beugungs limitierter Bereich) als Grundlage für die zweidimensionale Stromverteilung in der Elektronensonde. Hierbei ist λ die Wellenlänge und ν der Sonden Halbwinkel.
Merkmale:
- Cs-Korrektor für STEM (abgelöst von ASCOR / DCOR)
- Hexapolkorrektor (2x Hex)
- Justierbare Aberrationen: C1, A1, B2, A2, C3, S3, A3, D4, C5
- Begrenzende Restfehler: A5 (intrinsisch), A4/B4 parasitär
- Stark erhöhter Probenstrom (um das 10-fache) proportional zum Flächengewinn der größeren STEM-Apertur
- Kompatibel mit folgenden STEMs: TFS, JEOL, Zeiss, Hitachi
Technische Daten:
- Maße (H x B x T): 255 x 337 x 255 [mm]
- Mikroskopie-Modus: STEM
- Hochspannungsbereich: 80kV - 300kV
Anwendungsbereich:
- Hochauflösungs-STEM bei materialwissenschaftlichen Anwendungen in den Nano-Wissenschaften.
Kontakt
Haben Sie Fragen zu diesem Produkt oder zu Anwendbarkeit und Erweiterung für Ihr System, dann kontaktieren Sie uns unter info@ceos-gmbh.de
a) Rohdaten eines ADF-STEM-Bildes von Si [112], aufgenommen mit einem CESCOR-STEM-Korrektor in einem FEI Titan 80-300 Elektonenmikroskop bei 300 kV. b) Zur Rauschminderung wurden die Bilddaten a) lediglich tiefpassgefitert. Dadurch wird die Sichtbarkeit der einzelnen Atomsäulen in der Hantelstruktur verbessert, die einen Abstand von nur 78 pm besitzen. Das Histogramm c) zeigt, dass das Signal des Dark-field-Detektors nicht abgeschnitten wurde. d) In der Fouriertransformierten von b) ist der (444)-Reflex, der zum 78pm-Abstand gehört, deutlich zu sehen. Müller et al. Microsc. Microanal. 12, 442-455, 2006.
a) Bright-field-(BF), b) Annular-dark-field- (ADF) und c) Sekundärelektronen-(SE) Aufnahmen eines Gold-Nanopartikels. Die drei Bilder wurden synchron aufgenommen an einem Cs-korrigiertem Hitachi HD-2700 STEM/SEM mit CESCOR Korrektor. Bei 200 kV beträgt der Sondendurchmesser ca. 0.1 nm. Damit können die Au[111]-Gitternetzebenen mit 0.24 nm Abstand in allen drei Detektorsignalen deutlich aufgelöst werden. XF Zhang - Microscopy Today, 2011