CEFID – CEOS Energy Filtering and Imaging Device

CEFID – CEOS Energy Filtering and Imaging Device

CEFID – CEOS Energy Filtering and Imaging Device

Das neue CEFID – CEOS Energy Filtering and Imaging Device überzeugt durch seine außergewöhnlich geringe Nicht-Isochromasie (NI), seine Langzeitstabilität sowie die zuverlässige Reproduzierbarkeit der Strahljustage beim Wechsel zwischen verschiedenen Betriebsmodi. Die Verknüpfung von niedrigen NI-Werten mit großen Bildfeldbereichen und hoher Justagestabilität macht das CEFID besonders attraktiv für ESI Anwendungen wie zero-loss Filterung im Bereich der Biowissenschaften, vor allem in der Kombination mit großen 4k x 4k Detektoren. Im EELS Modus bewirken die niedrigen NI Werte eine exzellente Energieauflösung. Dies ermöglicht große Eingangsaperturen und damit hohe Erfassungseffizienz z.B. für die Core-Loss-Spektroskopie. Das CEFID bietet eine erweiterbare Bediensoftware mit automatisierten Justierprozeduren, Schnittstellen für verschiedene Detektorsysteme und offene Datenformate. Dies macht das CEFID besonders flexibel und erweiterbar auch für sehr individuelle, kundenspezifische Anforderungen.

Weitere Informationen zum CEFID finden sie in unserer Veröffentlichung

Kahl, F., Gerheim, V., Linck, M., Müller, H., Schillinger, R., Uhlemann, S. (2019). Test and characterization of a new post-column imaging energy filter. Advances in Imaging and Electron Physics Including Proceedings CPO-10 (pp. 35-70). Academic Press.

sowie in unserem White Paper: "CEFID - CEOS Energy Filtering and Imaging Device".

Merkmale

  • Korrektur der intrinsischen und parasitären NI-Aberrationen bis zur dritten Ordnung
  • Systematische Minimierung der NI Aberrationen für die vierte und fünfte Ordnung
  • Dispersion am Selektionsschlitz > 3 µm/eV bei 300 kV und 5.2 µm/eV bei 200 kV
  • Energieauflösung in der Detektorebene deutlich unter 100 meV (FWHM)
  • Erhältlich mit großformatigen CMOS Detektor TVIPS XF416 4k x 4k (15.5 µm pixel size). Andere Detektoren auf Nachfrage.
  • Variable Nachvergrößerung in der Detektorebene im ESI Modus
  • Flexible EELS-Vergrößerungen für variable Dispersionseinstellung (z.B. für EELS-Ranges zwischen 8 eV und 4096 eV auf einer 4kx4k-Kamera bei 200 kV)
  • Variable Einstellung der Spektrumshöhe zur Optimierung zwischen maximaler Auslesegeschwindigkeit (kleine Spektrumshöhe) und z.B. momentum-resolved low-loss EELS mit hohem Auflösungsvermögen (große Spektrumshöhe).
  • Schnelle und semi-automatisierte Justage
  • Extrem stabile und präzise reproduzierbare Justierungen (Stablität der ZLP-Position ~1eV/8h)
  • Justierbar mindestens für 30 kV – 300 kV
  • Kompatibel mit folgenden TEMs: JEOL 2010F, 2100F, F200, ARM200, NeoARM, ARM300, HF3300, HF5000, FEI Tecnai, TFS Titan (low-base). Andere Systeme auf Anfrage.

Technische Daten

  • Gerätemaße (inkl. TVIPS XF416) (HxBxT): 326 x 300 x 1160 [mm]
  • Gewicht (inkl. TVIPS XF416): 130 kg
  • Modi: ESI, EELS, ωq-EELS
  • Hochspannungsbereich: 30 kV - 300 kV

Anwendungsbereich

Einsatz in der energiegefilterten Transmissionselektronenmikroskopie (EFTEM), sowohl für elektronenspektroskopische Bildgebung (ESI), als auch für Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS) im Bereich der Material- und Biowissenschaften. Speziell geeignet für Anwendungen mit Zero-Loss-Filterung oder Elektronenenergieverlustspektroskopie (core-loss spectroscopy) mit sehr hohen Anforderungen an Isochromasie, Energieauflösung und Bildfeld.

Kontakt

Haben Sie Fragen zu diesem Produkt oder zu Anwendbarkeit und Erweiterung für Ihr System, dann kontaktieren Sie uns unter info@ceos-gmbh.de

Non-isochromaticity measured at 200kV

a) Nicht-Isochromasie gemessen bei 200 kV, mit größter (Ø 12 mm) Eingangsapertur. b) Nicht-Isochromasie gemessen bei 200 kV, mit erhöhter Nachvergrößerung und geringer Nachjustage für den inneren Ø 8 mm Bereich.

Spektrumsauflösung

Erste Zeile: Zero-loss peak Bilder bei 300 kV für eine Serie von sieben equi-distanten Verstellungen des Hochspannungsoffset. Zu sehen ist die hohe Qualität der EEL Spektren für verschiedene Dispersionen bei Energiebereichen zwischen 16 eV bis 4096 eV, die gleichmäßige ZLP-Form und der verzeichnungsfreier Spektrumsverlauf. Zweite und dritte Zeile: EEL Spektren und Zeilenscan einer Bor-Nitrid Probe bei 300 kV und Energiebereichen zwischen 16 eV und 4096 eV.

Spektrumshöhen

EEL Spektren einer Bor-Nitrid Probe mit flexibler Spektrumshöhe von 50 px (2.5% Detektorhöhe) bis zu 1800 px (90% Detektorhöhe). Die Spektren wurden aufgenommen bei 300 kV, mit Cold-FEG und einem Energiebereich von 256 eV bei identischer Dispersion.

switching between EELS - ESI  - EELS modes without re-tuning

EELS und ESI Abbildungen einer (110)-Silizium Probe bei 200 kV mit Schottky-FEG und Eingangsapertur (EA) von 5 mm. Das Umschalten zwischen EELS und ESI Modus funktioniert sehr reproduzierbar ohne Nachjustage.